基板の表面上に構成された微細パターンの表面上への炭素ナノファイバーの集合的な作製方法、および微細パターンの表面上にナノファイバーを含む構造

专利摘要:
本発明は、触媒ゾーンからのナノファイバーの成長を含むナノファイバーの作製方法に関し、さらに以下：−基板（１）の表面上に少なくとも１つの微細パターン（１１）を生成するステップ；−前記微細パターンの表面上に触媒ゾーン（５０）を生成するステップ；−触媒ゾーンからナノファイバーを成長させるステップを含む方法において、微細パターン（１１）が、ベース部と、少なくとも部分的に互いに接近した側壁と、上面とを含み、前記ベース部が、ナノファイバーの成長触媒作用効果が起こらないいわゆる「ポイズン」層（４）によって覆われており、−いわゆる「ポイズン」層は前記上面には存在せず；−ベース部は、いわゆる「ポイズン」層の表面上が触媒層（５）で覆われており；−「ポイズン」層の厚さおよび触媒層の厚さは、事前に構成された微細パターンの側壁上にもベース部上にもナノファイバーが成長できないようにされていることを特徴とする方法。 本発明はまた、本発明の方法に従って生成された微細パターンを有する基板の表面上のナノファイバーの構造に関する。
公开号:JP2011508189A
申请号:JP2010537425
申请日:2008-12-09
公开日:2011-03-10
发明作者:ゴランタン、ルイ；ディジョン、ジャン；マリオール、ドゥニ；ポッシュ、エレーヌ ル
申请人:コミシリア ア レネルジ アトミック エ オ エナジーズ オルタネティヴズ；
IPC主号:G01Q70-12

专利说明:

[0001] 本発明の分野は、ナノファイバー、特に炭素ナノファイバーおよびケイ素ナノファイバーの分野であり、より正確には、これらのナノファイバーを、集合的に組み込む新規の方法に関する。]
[0002] 本発明の目的は、特に、
・微細パターンの端部に触媒を局在化させることによる、成長の局在化、
・原子間力顕微鏡法に使用できる、すなわち測定中に変形しないようなナノファイバーの剛性、
・直径２０〜５０ｎｍ程度および長さ２００ｎｍ〜５００ｎｍのナノファイバーの寸法およびシリンダー形状、
・微細パターンのサイズを調整することによる、炭素ナノファイバーの数、
・ＲＦ−ＰＥＣＶＤ成長法による炭素ナノファイバーの向き、
・ポイズン層を加えることによる炭素ナノファイバーの寄生成長
を制御することによって、１つ以上のナノファイバー（炭素またはケイ素）を近接場顕微鏡（ＳＰＭ、走査型プローブ顕微鏡）用のチップ（ｔｉｐ）の端部に加えることにある。]
[0003] ＳＰＭのチップ端部に配置されたナノファイバーは、特に、局所的な電気的および／または機械的な測定を実施することを可能にする。ナノファイバーを、生物学の分野において、独立体のチップへの移植後の特異的認識に使用してもよい。]
背景技術

[0004] 従来技術によれば、ナノファイバーの成長のためのナノサポートの作製方法は既に提案されている：Ｍｉｎｈら、Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ ２１（４）１７０５（２００３）「Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ ｃａｒｂｏｎ ｎａｎｏｔｕｂｅｓ ｏｎ Ｓｉ ｍｉｃｒｏｆａｂｒｉｃａｔｅｄ ｔｉｐｓ ａｎｄ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｆｏｒ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｔｔｅｒｓ」。その方法によれば、電界の局所的な特性によって得られたチップの端部上の個々のカーボンナノチューブの鉄および「ＨＦ−ＣＶＤ」（「熱フィラメント化学蒸着」を意味する）成長に基づく触媒の集合堆積（ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を使用することによって、アスペクト比の高いＳｉチップを生成することを可能にする。カーボンナノチューブをチップの軸と整列させる。しかしながら、この方法では、ナノチューブの長さ、その向きおよびその機械的強度を制御することに関する問題は残ったままである。]
[0005] Ｈ．Ｃｕｉ、米国特許出願公開第２００６０１３８０７７Ａ１号明細書（２００６）「Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ ｍａｋｉｎｇ ａｎ ａｎｇｌｅｄ ｔｉｐ ｆｏｒ ａ ｓｃａｎｎｉｎｇ ｆｏｒｃｅ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ」によれば、レバー上で傾斜しているＳＰＭ（「走査型プローブ顕微鏡法」を意味する）チップを作製することも知られている（単層または多層カーボンナノチューブ、炭素ナノファイバーまたは結晶性ナノファイバーなど）。様々なリソグラフィーステップによってレバーの端部に触媒ゾーンを生成させる。この触媒の局在化によって、いかなる寄生成長も回避される。「ＤＣ−ＰＥＣＶＤ」によって成長が得られる。レバーの端部における力線の乱れによって、ＳＰＭチップの配向成長を得ることが可能となる。]
[0006] 米国特許第７０３２４３７Ｂ２号明細書から、平坦部にイオンビーム加工を行い、非集合的な成長法をもたらすことも知られている。
・触媒をエッチングするが、このエッチングは、触媒活性の非活性化による問題を引き起こし得る。
・角度制御は可能ではない：これは、触媒の「斜め」堆積が触媒の楔形（三角形、先端）を制御しないためである。さらに、高温（Ｔ＞６００℃）で行われる成長ステップ中、触媒が再組織化されることによって、この形状を保持できなくなる。この方法は、直径が１００ｎｍを超える円錐形の物体を作製することを可能にし、力線を強力に集中させないように課せられた形状をもたらす。シリンダー形状はこの機能を満たすのにより貢献する。]
課題を解決するための手段

[0007] これに関連して、本発明は、ナノファイバー、好都合には、一連のナノファイバーを成長させて、予め作製されたパターン（以下、微細パターンと称する）の端部においてナノファイバーの集合的な成長を制御することを可能にする一方で、以下の条件：
−触媒をエッチングすることなく、個別の成長を局在化させること；
−寄生成長を排除すること；
−微細加工パターンの軸およびこのパターンの支持体の軸に対して配向を制御すること
に適合する方法を提供する。]
[0008] それゆえ、本発明は、特定の幾何学的形状の微細パターンを予め作製することを含む、基板の表面上へのナノファイバーの作製方法に関する。好都合には、本発明の方法は、一連のナノファイバーを同時に作製するための集合的な方法である。]
[0009] より正確には、本発明は、触媒ゾーンからのナノファイバーの成長を含む、ナノファイバーの作製方法であって、さらに以下の：
−基板の表面上に少なくとも１つの微細パターンを生成するステップ；
−前記微細パターンの表面上に触媒ゾーンを生成するステップ；
−触媒ゾーンからナノファイバーを成長させるステップ
を含む方法において、微細パターンが、ベース部と、少なくとも部分的に互いに接近した側壁と、上面とを含み、前記ベース部は、ナノファイバーの成長触媒作用効果が起こらないいわゆる「ポイズン」層で覆われており、
−いわゆる「ポイズン」層は、前記上面上には存在しておらず；
−ベース部は、いわゆる「ポイズン」層上が触媒層で覆われており；
−「ポイズン」層の厚さおよび触媒層の厚さは、事前に構成された微細パターンの側壁上にもベース部上にもナノファイバーが成長できないようにされていることを特徴とする方法に関する。]
[0010] 好都合には、微細パターンのベース部は、基板の表面上に属している。]
[0011] 本発明の変形形態によれば、微細パターンの生成には、以下：
−基板のふるまいとは異なる乾式エッチングのふるまいを有するいわゆるハードマスク材料の層を堆積させるステップ；
−前記ハードマスクの表面上に、露光の効果により不溶性になることができる感光材料の層を堆積させるステップ；
−感光材料の層内で不溶性部分を画成するために、マスクを通して前記感光材料を露光するステップ；
−不溶性要素を画成するために、不溶性部分の周囲の感光材料の層を溶解するステップ；
−エッチゾーンを画成するために、不溶性要素の周囲のハードマスクをエッチングするステップ；
−基板をエッチングして、上面がエッチゾーンで覆われた基板の表面に、少なくとも１つの微細パターンを生成するステップ
を含む。]
[0012] 好都合には、この方法は、微細パターンのベース部上に「ポイズン」層を堆積させた後、ベース部が前記ポイズン層で覆われた微細パターンの基板上の全てに、触媒層を堆積させることを含み得る。]
[0013] それゆえ、本発明は、以下の特徴に基づいている：
−「ポイズン」層で覆われているベース部と、少なくとも部分的に互いに接近した側壁と、上面とを含む少なくとも１つの微細加工パターンを生成すること；
−微細パターンとも称せられる微細加工パターン上の全てに、触媒層を堆積させること；
−触媒層をディウェッティングして、例えば加熱技術によって制御して局所的な触媒ゾーンの成形を可能にすること；
−ＰＥＣＶＤタイプの技術によってこの組立体上に炭素ナノファイバーを成長させること。]
[0014] 「ポイズン」層の厚さおよび触媒層の厚さを、事前に構成された微細パターンの側壁上にもベース部上にも炭素ナノファイバーが成長できないようにする。]
[0015] 一般に、触媒層の厚さは、ディウェッティング作業が可能になる約数十ナノメートル未満である、すなわち約５０ナノメートルである。]
[0016] 一変形形態によれば、微細パターンの断面の寸法は、約数百ナノメートルである。]
[0017] 本発明の一変形形態によれば、ハードマスク層は、ＮｉｘＳｉｙ窒化物タイプの窒化物製である。]
[0018] 本発明の一変形形態によれば、「ポイズン」層は、触媒層と同じ材料で作製されており、約５０ナノメートルよりも厚い。]
[0019] 好都合には、「ポイズン」層は、銅またはモリブデンまたはタングステンの層である。]
[0020] 好都合には、触媒層は、ニッケルまたは鉄またはコバルトまたはパラジウム−ニッケル合金の層である。]
[0021] 本発明はまた、基板の表面上に生成されたナノファイバーの構造であって、構造が、ベース部と、少なくとも部分的に互いに接近した側壁と、上面とを含む微細パターンを有し、前記ベース部が、ナノファイバーの成長触媒作用効果が起こらない、いわゆる「ポイズン」層で覆われており、ナノファイバーが微細パターンによって支持されていることを特徴とする、ナノファイバーの構造に関する。]
[0022] 本発明の一変形形態によれば、ナノファイバーは炭素ナノファイバーであり、微細パターンおよび基板は、ケイ素タイプの同じ半導体材料から作製される。]
[0023] 以下、非限定的に与えられかつ添付の図面による説明を読むことから、本発明はより明白に理解され、他の利点が明らかになる。]
図面の簡単な説明

[0024] 本発明によるナノファイバーの作製方法の第１の例における、基板の表面上への微細パターンの形成における様々なサブステップを示す。
本発明によるナノファイバーの作製方法の第１の例に従って形成される微細パターンの表面上に触媒層を堆積させるステップを示す。
事前に形成された微細パターンの表面上で触媒ゾーンを局所的に形成することを可能にする、本発明による作製方法において使用されるディウェッティング作業ステップを示す。
本発明による作製方法において２つの異なる方向に沿って行われる、触媒ゾーン表面上のナノファイバーの成長のステップを示す。
本発明の方法においてナノファイバーを成長させるための堆積用チャンバーの例の断面図を示す。
本発明による作製方法におけるナノファイバーの成長に使用された隆起状微細パターンを作製することを含む、本発明の方法の第２の変形例を示す。]
実施例

[0025] 本発明者らは、以下、図１ａ〜図１ｈに示す本発明によるナノファイバー成長法の様々なステップを詳細に説明する。これはナノファイバーの製造に関するが、同様にナノファイバーの集合的な製造方法に一般化することができる：] 図１ａ 図１ｂ 図１ｃ 図１ｄ 図１ｅ 図１ｆ 図１ｇ 図１ｈ
[0026] ステップＡ：微細パターン生成：
−二酸化ケイ素タイプ（ＳｉＯ２）および／または窒化ケイ素タイプ（ＳｉｘＮｙ）のハードマスク２（エッチングに関して基板とは異なるふるまいをする）を、基板１（Ｓｉタイプとし得る）に堆積させる。図１ａに、エッチングマスク２で覆われた基板１からなる積層体を示す；
−その後、図１ｂに示すように樹脂タイプの感光層３を堆積させる；
−図１ｃに示すように、参照符号Ｉで示す露光を、フォトマスクＭを用いて行う。露光の目的は、前記感光層を不溶性にすることである；
−図１ｄに示すように、感光層の残りの部分を、例えば溶解することによって除去して、不溶性の露光要素３０のみを残すようにする；
−次いで、異方性エッチングを行い、図１ｅに示すように保護されていない材料の層２を除去できるようにして、パターン３０を支持するパターン２０を形成する；
−その後、第２の化学的攻撃（参照符号ＡＣで示す）を行い、微細パターン１１と呼ばれる所望のパターンを生成することを可能にする。微細パターン１１は、基板をエッチングすることによって得られる平坦部に対応し、サイズが制御されており、そのサイズは、一般に約１００〜５００ｎｍとし得、かつ化学的攻撃の持続期間に依存する（図１ｆに示すように）；平坦部のサイズを、触媒の検量された（ｃａｌｉｂｒａｔｅｄ）液滴のみを得るように決定する。このサイズは、チップの端部に得られる繊維の直径および繊維数を決定する；
−次いで、図１ｇに示すように、いわゆる「ポイズン」層４を堆積させ、これは、一般に、その後のいかなる湿潤も回避する触媒の層とし得るか（これは、例えば厚さ約１００ｎｍのニッケルの層とし得る）、あるいは、本発明による成長法に続いて堆積された触媒の効果を無効にできる層とし得る（これは、例えば銅またはモリブデンの層とし得る）；
−次いで、リフトオフ式の剥離により、層４で覆われた要素２０および３０を除去することによって、微細パターン１１をあらわにすることができる。そのように構成された微細パターンは、図１ｈに示すように、「ポイズン」層４で覆われたベース部と、互いに接近した側壁と、上面とを有する。] 図１ａ 図１ｂ 図１ｃ 図１ｄ 図１ｅ 図１ｆ 図１ｇ 図１ｈ
[0027] ステップＢ：触媒層の堆積
触媒の層を、先に構成された微細パターンに堆積させる。これは、一般に厚さ１〜２０ｎｍのニッケル、鉄、コバルト、白金、モリブデンタイプなどの触媒とし得る；なぜなら、触媒の堆積は均質であり、傾斜面に堆積された厚さは、平面の厚さよりも小さい（有効断面積対実表面積の比だけ低減）。この作業は、一般に陰極「スパッタリング」によって、または蒸着によって（特に、レーザアブレーションによる）、あるいは、「ＣＶＤ」（化学蒸着を意味する）、「ＬＰＣＶＤ」（低圧化学蒸着を意味する）、「ＰＥＣＶＤ」（プラズマ促進化学蒸着を意味する）タイプの化学的堆積によって行われ得る。図２に示す触媒層５は、微細パターン１１の上の「ポイズン」層４上に重なっている。縦矢印は、陰極スパッタリングタイプの方法を示す。] 図２
[0028] ステップＣ：ディウェッティング作業
ディウェッティング作業は本発明の要点である。微細パターンの表面上に触媒を液滴に形成するためには、微細パターンが形成された基板を含むチャンバーの温度を、３００℃よりも高い温度に上昇させる。この基板を、触媒の液滴が形成し得るときには８００℃程度ともし得る（触媒の液滴形成のサイズおよび動力学に応じて変わる）。]
[0029] 繊維のサイズは、液滴のサイズに直接関係し、かつ使用される触媒の厚さおよびタイプ、前記触媒のタイプおよび表面条件に依存する。微細パターンの壁上の液滴のサイズは、前記微細パターンの上面上にある液滴よりもかなり小さい。これは、図３に示すように、そこに堆積された厚さが薄いためである。図３には、微細パターン１１の表面上の触媒液滴５０が示されている。微細パターン１１の表面は「ポイズン」層４および触媒層５で覆われている。] 図３
[0030] ステップＤ：ナノファイバーの成長
本発明の方法によれば、微細パターンに堆積された触媒液滴の表面上にナノファイバーを成長させることができる。この成長作業は、従来、「ＰＥＣＶＤ」によって行われており、それゆえ、前記ナノファイバー６０の配向を、図４ａに示すように制御できる。] 図４ａ
[0031] 本発明の方法を用いると、微細パターンの平面の向きに関係のない配向成長が可能になる。特定の応用では、ナノファイバー６０の傾斜および長さを正確に制御し、それゆえ図４ｂに示すようなナノファイバーを生成することを有利とし得る。] 図４ｂ
[0032] 本発明者らは、以下ナノファイバー成長法について詳細に説明する。]
[0033] 好都合にも、この方法は、陰極と呼ばれる第１の電極と、陽極と呼ばれる第２の電極とを有する堆積用チャンバーにおいて行われ得る。前記電極は、互いに反対側に配置されている。コンデンサと直列に接続されたＲＦ発生器が、電極間にＲＦ電圧を供給可能にする。電極の一方が、積層体において、陽極とは反対側にあるその面上で、黒鉛ターゲットと、ナノファイバー堆積を受けるためのサンプルとを担持する。]
[0034] チャンバーにおいて、イオンで帯電されたプラズマが生成され、ターゲットが炭素を供給する。その自由面において、サンプルは、表面に局所的な触媒ゾーンを有する微細パターンを担持する。]
[0035] 触媒ゾーンの表面へのナノファイバーの局所的な成長は、一般に３００℃を超える温度において行われ得る。]
[0036] プラズマは、純粋な水素、または水素ベースのガス混合物から生成される。一般に、混合物の他のガスを窒素、または例えばヘリウム、アルゴン、クリプトンまたはキセノンから選択された１種以上の希ガスとし得る。]
[0037] 図５に、このタイプの成長を行うことを可能にする堆積用チャンバーの例の断面図を示す。チャンバーでは、例えば石英のベル１０によって、プラズマが生成される反応領域を制限することができる。このベル１０は、ガス注入口１１を通してガスを投入することを可能にする。ベルは、ハウジング１５から電気的に絶縁されたベース部１２に載置されている。コンデンサ１３と直列に接続されたＲＦ発生器１４は、陽極として使用されるハウジング１５と、陰極として使用されるベース部１２との間にＲＦ電圧を供給することを可能にする。ガス出口１７により、ハウジング１５の内部を吸入排出することが可能になる。ベル１０の上側および熱反射材１９の下側には第１の加熱装置１８が配置される。第２の加熱装置２０もまた低い位置に配置されて、黒鉛ターゲット２１を加熱することを可能にする。ターゲット２１はベース部１２に載置され、かつ微細パターンおよび触媒ゾーンを含む基板２２を支持する。ターゲットおよび基板は、同じ電位である。] 図５
[0038] 本発明の変形形態によれば、基板に対して隆起したとみなされる複雑な微細パターンを生成することも可能である。そのためには、この変形形態では、本発明は、化学的攻撃作業の後に乾式エッチングのステップを含んで、基板に対して隆起したとみなされる微細パターンを構成する。これは、特に、図１ｆに示すような事前に生成された微細パターン上への、例えばＲ．Ｉ．Ｅ．タイプの中間的なエッチング作業とし、その後、リフトオフタイプの剥離作業を行う。それゆえ、この変形形態によれば、図６に示すように、隆起状微細パターンの表面にナノファイバーを成長させることができる。図６は、直線的な側壁を有する第１の部分１１１と、互いに接近した壁を有する第２の部分１１２とを有する微細パターンを示す。] 図１ｆ 図６

权利要求:

請求項1
触媒ゾーンからナノファイバーを成長させることを含み、さらに以下：−基板（１）の表面上に少なくとも１つの微細パターン（１１）を生成するステップ；−前記微細パターンの表面上に触媒ゾーン（５０）を生成するステップ；−触媒ゾーンからナノファイバーを成長させるステップを含むナノファイバーの作製方法において、微細パターン（１１）が、ベース部と、少なくとも部分的に互いに接近した側壁と、上面とを含み、前記ベース部が、ナノファイバーの成長触媒作用効果が起こらないいわゆる「ポイズン」層（４）によって覆われており、−いわゆる「ポイズン」層は前記上面には存在せず；−ベース部は、いわゆる「ポイズン」層の表面上が触媒層（５）によって覆われており；−「ポイズン」層の厚さおよび触媒層の厚さは、事前に構成された微細パターンの側壁上にもベース部上にもナノファイバーが成長できないようにされていることを特徴とする、方法。
請求項2
微細パターンの生成が以下：−基板のふるまいとは異なる乾式エッチングのふるまいを有するいわゆるハードマスク材料の層（２）を堆積させるステップ；−前記ハードマスクの表面上に、露光効果下において不溶性になることが可能な感光材料の層（３）を堆積させるステップ；−感光材料の層内に不溶性部分を画成するために、マスク（Ｍ）を通して前記感光材料を露光するステップ；−不溶性要素（３０）を画成するために、不溶性部分の周囲の感光材料の層を溶解するステップ；−エッチゾーン（２０）を画成するために、不溶性要素の周囲のハードマスクをエッチングするステップ；−基板をエッチングして、上面がエッチゾーン（２０）および不溶性要素（３０）で覆われた基板の表面に少なくとも１つの微細パターン（１１）を生成させるステップを含むことを特徴とする、請求項１に記載のナノファイバーの作製方法。
請求項3
ハードマスクのエッチングが異方性エッチングであることを特徴とする、請求項２に記載のナノファイバーの作製方法。
請求項4
基板のエッチングが、化学エッチング作業であることを特徴とする、請求項２または３に記載のナノファイバーの作製方法。
請求項5
微細パターン生成が、化学的攻撃作業の後に乾式エッチングステップを含んで、基板に対して隆起したとみなされる微細パターンを構成し、前記微細パターンが、直線的な側壁を有する第１の部分（１１１）と、互いに接近した壁を有する第２の部分（１１２）とを有することを特徴とする、請求項４に記載のナノファイバーの作製方法。
請求項6
中間の乾式エッチング作業がＲ．Ｉ．Ｅ．タイプのエッチングであることを特徴とする、請求項５に記載のナノファイバーの作製方法。
請求項7
−微細パターンのベース部上に「ポイズン」層（４）を堆積させるステップ；−ベース部が前記ポイズン層で覆われた微細パターンの基板上の全てに触媒層（５）を堆積させるステップを含むことを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載のナノファイバーの作製方法。
請求項8
さらに、触媒層によって覆われた微細パターンを含む基板を加熱することによって、触媒が液滴（５０）に形成されるようにするディウェッティング作業を含むことを特徴とする、請求項７に記載のナノファイバーの作製方法。
請求項9
触媒層の厚さが、ほぼ数十ナノメートル未満であることを特徴とする、請求項８に記載のナノファイバーの作製方法。
請求項10
触媒層の厚さが約５０ナノメートル未満であることを特徴とする、請求項９に記載のナノファイバーの作製方法。
請求項11
「ポイズン」層が触媒層と同じ材料で作製され、約５０ナノメートルよりも厚いことを特徴とする、請求項９または１０に記載のナノファイバーの作製方法。
請求項12
微細パターンの断面の寸法が、約数百ナノメートルであることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のナノファイバーの作製方法。
請求項13
加熱作業が、約３００℃〜８００℃の間の温度で行われることを特徴とする、請求項８〜１２のいずれか一項に記載のナノファイバーの作製方法。
請求項14
基板がケイ素製であることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のナノファイバーの作製方法。
請求項15
ハードマスク層が二酸化ケイ素製であることを特徴とする、請求項２〜１４のいずれか一項に記載のナノファイバーの作製方法。
請求項16
ハードマスク層がＮｉｘＳｉｙ窒化物タイプの窒化物製であることを特徴とする、請求項２〜１４のいずれか一項に記載のナノファイバーの作製方法。
請求項17
「ポイズン」層が、数十ナノメートルよりも厚いニッケルの層であることを特徴とする、請求項１〜１６のいずれか一項に記載のナノファイバーの作製方法。
請求項18
「ポイズン」層が、銅またはモリブデンまたはタングステンの層であることを特徴とする、請求項１〜１６のいずれか一項に記載のナノファイバーの作製方法。
請求項19
触媒層が、ニッケルまたは鉄またはコバルトまたはパラジウム−ニッケル合金の層であることを特徴とする、請求項１〜１８のいずれか一項に記載のナノファイバーの作製方法。
請求項20
基板（１）の表面に作製されたナノファイバーの構造において、構造が、ベース部と、少なくとも部分的に互いに接近した側壁と、上面とを含む微細パターン（１１）を有し、前記ベース部が、ナノファイバーの成長触媒作用効果が起こらないいわゆる「ポイズン」層（４）で覆われており、いわゆる「ポイズン」層は、前記上面上には存在せず；ベース部は、いわゆる「ポイズン」層の表面上が触媒層（５）で覆われており；−「ポイズン」層の厚さおよび触媒層の厚さが、事前に構成された微細パターンの側壁上にもベース部上にもナノファイバーが成長できないようにされ；−ナノファイバーが、微細パターンによって支持されていることを特徴とする、ナノファイバーの構造。
請求項21
ナノファイバー（６０）が炭素ナノファイバーであることを特徴とする、請求項２０に記載の基板の表面上に生成されたナノファイバーの構造。
請求項22
微細パターンおよび基板が、ケイ素タイプの同じ半導体材料から作製されていることを特徴とする、請求項２０または２１に記載の基板の表面上に生成されたナノファイバーの構造。
請求項23
微細パターンが、断面積が一定である側壁を有する第１の部分（１１１）と、互いに接近した壁である第２の部分（１１２）とを有することを特徴とする、請求項２０〜２２のいずれか一項に記載の基板の表面上に生成されたナノファイバーの構造。